Infineon MOSFET IRFB4110GPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 370 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Infineon MOSFET IRFB4110GPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 370 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
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Specifications of Infineon MOSFET IRFB4110GPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple | |
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