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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio DP, IR, λ Sensibilidad Máx. 970nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-5 De 3 Pines

About The 572mm, Resistencia de shunt: 4000000KΩ, Tiempo de Subida Típico: 60ns, MPN: PIN-5DPI. 970nm, mont

OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio DP, IR, λ sensibilidad máx. 970nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 3 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Longitud: 8.255mm, Altura: 4.572mm, Resistencia de shunt: 4000000KΩ, Tiempo de Subida Típico: 60ns, MPN: PIN-5DPI

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Displays y Optoelectrónica > Optoacopladores y Fotodetectores > Fotodiodos

OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio DP, IR, λ Sensibilidad Máx. 970nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-5 De 3 Pines

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Specifications of OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio DP, IR, λ Sensibilidad Máx. 970nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-5 De 3 Pines

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