Vishay Siliconix Transistor MOSFET SI3459BDV-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 2,9 A, TSOP de 6 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 288 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 7,7 nC a 10 V
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Vishay Siliconix Transistor MOSFET SI3459BDV-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 2,9 A, TSOP De 6 Pines
Specifications of Vishay Siliconix Transistor MOSFET SI3459BDV-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 2,9 A, TSOP De 6 Pines | |
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