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Infineon MOSFET IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.Infineon MOSFET IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config

Infineon MOSFET IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

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Infineon MOSFET IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

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