Vishay MOSFET SQ4920EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 4,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Vishay MOSFET SQ4920EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado
Specifications of Vishay MOSFET SQ4920EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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