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Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB011N04LGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, TO-263-7 De 7 Pines, 2elementos

About The Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB011N04LGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, TO-263-7 de 7 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0011 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Serie: OptiMOS 5

Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB011N04LGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, TO-263-7 de 7 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0011 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Serie: OptiMOS 5

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB011N04LGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, TO-263-7 De 7 Pines, 2elementos

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