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Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

About The Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, MPN: IPD33CN10NGATMA1

Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, MPN: IPD33CN10NGATMA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines
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Linx Antena de telemetría 410MHZ - 430MHZ, Protocolos RF: WiFi, Formato físico de antena: Redondo, Longitud de Antena: 27mm, Tipo de montaje de antena: Montaje en panel, Tipo de Montaje: Directo, Rango de Frecuencia: 410 → 430 MHz, Ganancia: -1.3dBi, Directividad de antena: Omnidireccional, Género del conector: Macho, MPN: ANT-410-WRT-UFL
    • Hammond Caja de ABS, 3.5 x 3.5 x 2.4plg, IP66, Longitud Externa: 88,9 mm, Altura Externa: 61 mm, Calibre: 1555, MPN: 1555EGY
    • Linx Antena WiFi Dipolo Omnidireccional Bluetooth (BLE), WiFi, 3.5dBi, UFL Macho, Interno/externo: Externo, Formato físico de antena: Redondo, Rango de Frecuencia: 2,4 GHz, Tipo de montaje de antena: Montaje en panel, Longitud del Cable: 150mm, Serie: WRT, MPN: ANT-2.4-WRT-UFL-150
    • Renesas Electronics Microprocesador R9A07G054L24GBG#AC0, RZ/V2L Arm Cortex A55, Arm Cortex M33 64bit 1.2GHz

    Renesas Electronics Microprocesador R9A07G054L24GBG#AC0, RZ/V2L Arm Cortex A55, Arm Cortex M33 64bit 1.2GHz

    2GHz.Renesas Electronics Microprocesador R9A07G054L24GBG#AC0, RZ/V2L Arm Cortex A55, Arm Cortex M33 64bit 1.

    • TE Connectivity Resistencia, de 470Ω ±5%, 1W, Serie ROX1S, Tecnología: Óxido de Metal, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +235°C, Coeficiente de Temperatura: ±300ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: ROX1SJ470R
    • Eaton Fusible de cartucho de cristal, serie Bussmann, 125V ac, 6A, 5 x 20mm, acción rápida, Material del Cuerpo: Vidrio, Clase UL: UL 248-14, Serie: Eaton Bussmann, MPN: GMA-6-R
    • Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, MPN: IPD33CN10NGATMA1

    Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, MPN: IPD33CN10NGATMA1

    Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines.

    • Yageo AEC-Q200 Resistencia, 470Ω, ±5%, 0.1W, Película Gruesa, 0603, MPN: AC0603JR-07470RL

    Yageo AEC-Q200 Resistencia, 470Ω, ±5%, 0.1W, Película Gruesa, 0603, MPN: AC0603JR-07470RL

    1W, Película Gruesa, 0603.Yageo AEC-Q200 Resistencia, 470Ω, ±5%, 0.

    • Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, MPN: IPD33CN10NGATMA1

    Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, MPN: IPD33CN10NGATMA1

    Infineon MOSFET, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines.

    • Yageo AEC-Q200 Resistencia, 470Ω, ±5%, 0.1W, Película Gruesa, 0603, MPN: AC0603JR-07470RL

    Yageo AEC-Q200 Resistencia, 470Ω, ±5%, 0.1W, Película Gruesa, 0603, MPN: AC0603JR-07470RL

    Yageo AEC-Q200 Resistencia, 470Ω, ±5%, 0.1W, Película Gruesa, 0603.