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Nexperia MOSFET PMGD280UN,115, VDSS 20 V, ID 870 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The . Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 340 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0

Nexperia MOSFET PMGD280UN,115, VDSS 20 V, ID 870 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 340 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 400 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Nexperia MOSFET PMGD280UN,115, VDSS 20 V, ID 870 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Specifications of Nexperia MOSFET PMGD280UN,115, VDSS 20 V, ID 870 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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