Infineon MOSFET BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.3V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Infineon MOSFET BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,4 A, SOT-323 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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