Vishay MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6,2 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.Vishay MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6,2 A, SOIC de 8 pines,, config
Vishay MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6,2 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Vishay MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6,2 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Specifications of Vishay MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6,2 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
