DiodesZetex MOSFET DMT47M2SFVWQ-13, VDSS 40 V, ID 49,1 A, PowerDI3333-8 De 8 Pines

Name: DiodesZetex - DiodesZetex MOSFET DMT47M2SFVWQ-13, VDSS 40 V, ID 49,1 A, PowerDI3333-8 De 8 Pines
Brand: DiodesZetex
SKU: ABDW-3281
Price: 60.50 EUR
Availability: InStock

About The DiodesZetex MOSFET DMT47M2SFVWQ-13, VDSS 40 V, ID 49,1 A, PowerDI3333-8 de 8 pines

DiodesZetex MOSFET DMT47M2SFVWQ-13, VDSS 40 V, ID 49,1 A, PowerDI3333-8 de 8 pines

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

DiodesZetex MOSFET DMT32M5LPS-13, VDSS 30 V, ID 150 A, PowerDI5060-8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,003 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V

DiodesZetex MOSFET DMT6011LPDW-13, VDSS 60 V, ID 40 A, PowerDI5060-8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,022 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of DiodesZetex MOSFET DMT47M2SFVWQ-13, VDSS 40 V, ID 49,1 A, PowerDI3333-8 De 8 Pines
Category
Instock	instock

Last Updated January 27th, 2025 09:56 pm

DiodesZetex MOSFET DMT47M2SFVWQ-13, VDSS 40 V, ID 49,1 A, PowerDI3333-8 De 8 Pines

More Varieties

Rating :- 9.7 /10

Votes :- 42

Omron Relé de potencia sin enclavamiento G6C de 1 polo, SPST, bobina 12V dc, 10A, Montaje en PCB, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Montaje en orificio pasante, Longitud: 20mm, Resistencia de la Bobina: 720Ω, Material de los Contactos: Plata, Profundidad: 15mm, Altura: 10mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -25°C, MPN: G6C-1114P-US DC12

Omron Relé de potencia sin enclavamiento G6C de 1 polo, SPST, bobina 12V dc, 10A, Montaje en PCB.

Nexperia Transistor, NPN 500 mA 400 V SOT-23, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Base Máxima del Colector: 500 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 3 x 1.4 x 1.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PBHV8540T,215

Nexperia Transistor, PBHV8540T,215, NPN 500 mA 400 V SOT-23, 3 pines, Simple.

Signal Construct Indicador LED, Rojo, lente enrasada, Ø montaje 10mm, 24 → 28V, 10mA, Tipo de Haz: Enrasado, Longitud: 38mm, Corriente Nominal: 10 mA, Intensidad: 5.000 mcd a 20 mA, Longitud: 38 mm, MPN: SKGH10024

Signal Construct Indicador LED, Rojo, lente enrasada, Ø montaje 10mm, 24 → 28V, 10mA.

Signal Construct Indicador LED, Amarillo, lente enrasada, Ø montaje 10mm, 24 → 28V, 10mA, Tipo de Haz: Enrasado, Longitud: 38mm, Corriente Nominal: 10 mA, Intensidad: 1.200 mcd a 20 mA, Longitud: 38 mm, MPN: SKGH10124

Signal Construct Indicador LED, Amarillo, lente enrasada, Ø montaje 10mm, 24 → 28V, 10mA.

Vishay Diodo, Rectificador Schottky, 10A, 60V Barrera Schottky, TO-220AC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 150A, MPN: MBR1060-E3/45

Vishay Diodo, MBR1060-E3/45, Rectificador Schottky, 10A, 60V Barrera Schottky, TO-220AC, 2-Pines.

DiodesZetex MOSFET DMT6011LPDW-13, VDSS 60 V, ID 40 A, PowerDI5060-8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,022 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V

DiodesZetex MOSFET DMT6011LPDW-13, VDSS 60 V, ID 40 A, PowerDI5060-8 de 8 pines.