Vishay MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 135 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 202 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.2V
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Vishay MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerPAK 8 X 8 De 4 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerPAK 8 X 8 De 4 Pines,, Config. Simple | |
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