Infineon Módulo IGBT, 69 A, 1200 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 335 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: DDB6U75N16W1RBOMA1
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT
Infineon Módulo IGBT, DDB6U75N16W1RBOMA1, 69 A, 1200 V, Módulo
Specifications of Infineon Módulo IGBT, DDB6U75N16W1RBOMA1, 69 A, 1200 V, Módulo | |
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