Onsemi MOSFET FDC655BN, VDSS 30 V, ID 6,3 A, SSOT-6 De 6 Pines,, Config. Simple
About The onsemi MOSFET FDC655BN, VDSS 30 V, ID 6,3 A, SSOT-6 de 6 pines,, config. Simple, Tipo de Encapsulado: SOT-23, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 36 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1mm, Longitud: 3mm
Simple, Tipo de Encapsulado: SOT-23, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 36 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1mm, Longitud: 3mm onsemi MOSFET FDC655BN, VDSS 30 V, ID 6,3 A, SSOT-6 de 6 pines,, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
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