STMicroelectronics MOSFET SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,2e+007 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V
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STMicroelectronics MOSFET SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 De 4 Pines
Specifications of STMicroelectronics MOSFET SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 De 4 Pines | |
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