Onsemi MOSFET FDS8858CZ, VDSS 30 V, ID 7,3 A, 8,6 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado
About The Aislado, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, 21 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, -20 V, +20 V, +25 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FDS8858CZ, VDSS 30 V, ID 7,3 A, 8,6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config
Aislado, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17 mΩ, 21 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, -20 V, +20 V, +25 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FDS8858CZ, VDSS 30 V, ID 7,3 A, 8,6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.
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Specifications of Onsemi MOSFET FDS8858CZ, VDSS 30 V, ID 7,3 A, 8,6 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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