ABB Barrera Inmaterial

About The ABB Barrera inmaterial, Tipo de Accesorio: Apantallamiento protector, Para Usar Con: O1B, Material: Plástico, MPN: 2TLA022313R6000 Orion Shield-165

ABB Barrera inmaterial, Tipo de Accesorio: Apantallamiento protector, Para Usar Con: O1B, Material: Plástico, MPN: 2TLA022313R6000 Orion Shield-165

Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica > Automatización y Control de Procesos > Sensores Industriales > Barreras de Seguridad

Coba Europe Alfombra antideslizante COBAmat Light de PVC Rojo,, 5m x 0.6m x 12mm, Tipo: Alfombrilla, Autoadhesivo: No, Tipo de superficie: Orificios, Formato de producto: Rollo, MPN: CO030605

Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005419125

Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica > Automatización y Control de Procesos > Sensores Industriales > Barreras de Seguridad

Specifications of ABB Barrera Inmaterial
Category
Instock	instock

Last Updated January 4th, 2025 09:48 pm

More Varieties

Rating :- 8.36 /10

Votes :- 43

Microchip Driver de puerta MOSFET TC4432EOA, CMOS|TTL 1,5 A SOIC 8 pines, Tensión de Alimentación: 30V, Topología: Lado alto, Polaridad: No Inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 4.9 x 3.91 x 1.42mm, Longitud: 4.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C

Microchip Driver de puerta MOSFET TC4432EOA, CMOS|TTL 1,5 A SOIC 8 pines.

Infineon IGBT, N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKWH30N65WR6XKSA1

Infineon IGBT, IKWH30N65WR6XKSA1, N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple.

Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-247-3, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 428 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKW50N120CS7XKSA1

200 V, TO-247-3, 3-Pines 1 Simple.Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1, N-Canal, 50 A, 1.

Infineon MOSFET IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

3V. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.

Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines, MPN: SP005646521

Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines.

Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005559058

Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines.

Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005419125

Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines.