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Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO De 24 Pines

About The Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005419125

Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005419125

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO De 24 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO De 24 Pines

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Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO De 24 Pines
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Microchip Driver de puerta MOSFET TC4432EOA, CMOS|TTL 1,5 A SOIC 8 pines, Tensión de Alimentación: 30V, Topología: Lado alto, Polaridad: No Inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 4.9 x 3.91 x 1.42mm, Longitud: 4.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C
    • Infineon IGBT, N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKWH30N65WR6XKSA1
    • Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-247-3, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 428 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKW50N120CS7XKSA1
    • Infineon MOSFET IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    3V. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.

    • Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines, MPN: SP005646521

    Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines, MPN: SP005646521

    Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines.

    • Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005559058
    • Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005419125
    • ABB Barrera inmaterial, Tipo de Accesorio: Apantallamiento protector, Para Usar Con: O1B, Material: Plástico, MPN: 2TLA022313R6000 Orion Shield-165
    • Infineon MOSFET IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005419125
    • ABB Barrera inmaterial, Tipo de Accesorio: Apantallamiento protector, Para Usar Con: O1B, Material: Plástico, MPN: 2TLA022313R6000 Orion Shield-165