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Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN De 9 Pines

About The Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005559058

Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005559058

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN De 9 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN De 9 Pines

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Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN De 9 Pines
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Amphenol Socapex Conector circular Hembra serie 2M801 de 10 vías, tamaño 7, Montaje de Reborde, Valor Nominal de Corriente: 5A, Tensión Nominal: 500 V, Tipo de Unión: Roscado, Orientación del Cuerpo: Recto, MPN: 2M80100902ZNU710BA
    • Rockwell Automation Temporizador multifunción, 24V ac, Configuración del Interruptor: SPDT, MPN: 700-HNK41AA24 C
    • Microchip Driver de puerta MOSFET TC4432EOA, CMOS|TTL 1,5 A SOIC 8 pines, Tensión de Alimentación: 30V, Topología: Lado alto, Polaridad: No Inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 4.9 x 3.91 x 1.42mm, Longitud: 4.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C
    • Infineon IGBT, N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKWH30N65WR6XKSA1
    • Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-247-3, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 428 W, Configuración: Único, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: IKW50N120CS7XKSA1
    • Infineon MOSFET IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.3V.Infineon MOSFET IRF3808STRLPBF, VDSS 75 V, ID 106 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.

    • Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines, MPN: SP005646521

    Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines, MPN: SP005646521

    Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines.

    • Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005559058
    • Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines, MPN: SP005646521

    Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines, MPN: SP005646521

    Infineon Microcontrolador CY8C4149AZI-S598, núcleo ARM Cortex M0+ de 12bit, RAM 32 kB, 48MHZ, TQFP de 100 pines.

    • Infineon MOSFET IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, MPN: SP005559058