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Infineon MOSFET IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 De 3 Pines,, Config. Simple

About The 31mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.2V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 10.31mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C Infineon MOSFET IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines,, config.

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 De 3 Pines,, Config. Simple

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