3,6 V, Número de Palabras: 512k, Número de Bits de Palabra: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 55ns, Baja Potencia: Sí, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 18.4 x 12 x 1.05mm, Longitud: 18.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, MPN: CY62157EV30LL-55ZSXE Cypress Semiconductor Memoria SRAM, 8Mbit, 512 k x 16 bits, TSOP-48, VCC máx.
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Cypress Semiconductor Memoria SRAM, 8Mbit, 512 K X 16 Bits, TSOP-48, VCC Máx. 3,6 V
Specifications of Cypress Semiconductor Memoria SRAM, 8Mbit, 512 K X 16 Bits, TSOP-48, VCC Máx. 3,6 V | |
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