Infineon MOSFET IPP60R099C6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 99 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 35 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 0.15mm, Longitud: 10
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 99 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 35 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 0.9V, Altura: 16.15mm, Longitud: 10.65mm Infineon MOSFET IPP60R099C6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 de 3 pines,, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
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Specifications of Infineon MOSFET IPP60R099C6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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