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STMicroelectronics Módulo MOSFET SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 De 3 Pines

About The STMicroelectronics Módulo MOSFET SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,59 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Material del transistor: SiC

STMicroelectronics Módulo MOSFET SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,59 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Material del transistor: SiC

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

STMicroelectronics Módulo MOSFET SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 De 3 Pines

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Specifications of STMicroelectronics Módulo MOSFET SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 De 3 Pines

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Texas Instruments SN75176AD, SOIC 8 pines, Interfaz: Circuito integrado del transceptor de línea, Tipo de Entrada: Diferencial, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 4.9 x 3.91 x 1.58mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +70 °C, Ancho: 3.91mm
    • RS PRO Fotocélula rectangular Reflexión difusa, alcance 2 m, salida NPN NA+NC, Bloque de Contactos, IP67, Conexión Eléctrica: Borne, Modo de conmutación: Conmutación luz/oscuridad, Tensión DC Máxima: 30V, Tipo de Terminal: Terminal, Fuente de la luz: LED Infrarrojo, Corriente Máxima: 200mA, Tiempo de Respuesta: ＜8.2ms, Material de la Carcasa: ABS, PC, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +55°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -15°C
    • Telemecanique Sensors Sensor de proximidad, M30 x 1.5, alcance 15 mm, salida NPN, 12 → 48 Vdc, IP69K, 500Hz, Tecnología de sensores: Inductivo, Tipo de Cuerpo: Cilíndrico, Tipo de Terminal: Cable, Longitud: 62mm, Tensión DC Máxima: 58V, Tipo de Montaje: Enrasado, Corriente de Conmutación: 200 mA, Material de la Carcasa: Chapado en níquel latón, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, MPN: XS630B1NAL2
    • RS PRO Tornillo Allen de cabeza cilíndrica, M5 x 10mm, paso de rosca 0.8mm, de Acero Inoxidable, Imperial o Métrica: Métrico, Forma del Cabezal: Cabezal con Casquillo Hexagonal, Tipo de Acero Inoxidable: A2 304, Acabado: Plano, Cumplimiento normativo: DIN 912
    • Panasonic Condensador electrolítico serie ED - A, 47μF, ±20%, 450V dc, Radial, Orificio pasante, 18 (Dia.) x 31.5mm,, Capacitancia: 47µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Diámetro: 18mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Paso del Pin: 7.5mm, Vida Útil: 10000h, Polarizado: Polar, Corriente de Rizado: 1A, MPN: EEUED2W470
    • Panasonic Condensador electrolítico serie ED - A, 33μF, ±20%, 400V dc, Radial, Orificio pasante, 16 (Dia.) x 20mm, paso, Capacitancia: 33µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Diámetro: 16mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Paso del Pin: 7.5mm, Vida Útil: 10000h, Polarizado: Polar, Corriente de Rizado: 730mA, MPN: EEUED2G330S
    • Abracon Unidad de cristal 0.032768MHZ, ±20ppm, SMD, 2-Pin, 1.6 x 1 x 0.5mm, Tipo de Montaje: Montaje en Superficie, Capacitancia de Carga: 9pF, MPN: FK161EIWM0.032768-T5
    • STMicroelectronics Módulo MOSFET SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,59 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Material del transistor: SiC
    • Abracon Unidad de cristal 0.032768MHZ, ±20ppm, SMD, 2-Pin, 1.6 x 1 x 0.5mm, Tipo de Montaje: Montaje en Superficie, Capacitancia de Carga: 9pF, MPN: FK161EIWM0.032768-T5
    • STMicroelectronics Módulo MOSFET SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,59 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Material del transistor: SiC