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STMicroelectronics MOSFET STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 70 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm

STMicroelectronics MOSFET STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 70 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple

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