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Infineon MOSFET IPA60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 FP De 3 Pines

About The 099 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.Infineon MOSFET IPA60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 FP de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0

Infineon MOSFET IPA60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 FP de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.099 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS

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Infineon MOSFET IPA60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 FP De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPA60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 37,9 A, TO-220 FP De 3 Pines

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