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Infineon IGBT, IFS100B12N3E4B31BOSA1, 100 A, 1200 V

About The Infineon IGBT, 100 A, 1200 V, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 515 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: IFS100B12N3E4B31BOSA1

Infineon IGBT, 100 A, 1200 V, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 515 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: IFS100B12N3E4B31BOSA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT

Infineon IGBT, IFS100B12N3E4B31BOSA1, 100 A, 1200 V

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Specifications of Infineon IGBT, IFS100B12N3E4B31BOSA1, 100 A, 1200 V

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Infineon IGBT, IFS100B12N3E4B31BOSA1, 100 A, 1200 V
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