STMicroelectronics MOSFET STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 2.4mm
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines, Config. Simple
Specifications of STMicroelectronics MOSFET STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |