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TE Connectivity Placa De Desarrollo Sensor De Presión Barométrica, Sensor De Temperatura MS5637 - DPP101G000, Para Usar

About The TE Connectivity Placa de desarrollo Sensor de presión barométrica, Sensor de temperatura MS5637 - DPP101G000, para usar, Para Usar Con: Sistema Grove

TE Connectivity Placa de desarrollo Sensor de presión barométrica, Sensor de temperatura MS5637 - DPP101G000, para usar, Para Usar Con: Sistema Grove

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TE Connectivity Placa De Desarrollo Sensor De Presión Barométrica, Sensor De Temperatura MS5637 - DPP101G000, Para Usar

Suco Presostato, 50bar a 10bar, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -30°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +100°C, Protección IP: IP65, Conexión Eléctrica: DIN 43650 tipo A, Corriente Máxima: 4 A, Serie: 0184, Tensión de Alimentación: 250 V, Material de la Carcasa: Acero inoxidable, MPN: 0184459031-SS
TE Connectivity Sensor de presión diferencial, SidePort doble 8 pines 30LPPC, Presión de Sobrecarga Máxima: 300psi, Tipo de Sensor: Sensores de presión diferencial, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 17.4 x 12.4 x 7.2mm, Maximum Operating Pressure: 30psi, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -25 °C, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2,7 Vdc, MPN: 4525-DS5A001DP
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Specifications of TE Connectivity Placa De Desarrollo Sensor De Presión Barométrica, Sensor De Temperatura MS5637 - DPP101G000, Para Usar

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Rating :- 9.03 /10
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Infineon SRAM, 4096kbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, TSOP-32-32, VCC máx. 3,6 V

Infineon SRAM, 4096kbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, TSOP-32-32, VCC máx. 3,6 V

3,6 V, MPN: CY62148EV30LL-45ZSXIT.Infineon SRAM, 4096kbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, TSOP-32-32, VCC máx.

    • máx.

    máx.

    234plg, Ø ext.

    • máx.

    máx.

    0.487plg, Ø ext.

    • STMicroelectronics MOSFET STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.STMicroelectronics MOSFET STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines,, config.

    • STMicroelectronics MOSFET STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.STMicroelectronics MOSFET STP75NS04Z, VDSS 33 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Longitud: 10.