Infineon Módulo Transistor IGBT, IKP15N65H5XKSA1, 30 A, 650 V, PG-TO220-3
About The Infineon Módulo transistor IGBT, 30 A, 650 V, PG-TO220-3, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 105 W, MPN: IKP15N65H5XKSA1
Infineon Módulo transistor IGBT, 30 A, 650 V, PG-TO220-3, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 105 W, MPN: IKP15N65H5XKSA1
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT
Infineon Módulo Transistor IGBT, IKP15N65H5XKSA1, 30 A, 650 V, PG-TO220-3
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Specifications of Infineon Módulo Transistor IGBT, IKP15N65H5XKSA1, 30 A, 650 V, PG-TO220-3 | |
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