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Onsemi Transistor, BSP16T1G, PNP -100 MA -300 V TO-223, 3 + Tab Pines, 30 MHz, Simple

About The 7 x 3.7 x 1

onsemi Transistor, PNP -100 mA -300 V TO-223, 3 + Tab pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1.5 W, Tensión Base Máxima del Colector: -350 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V dc, Dimensiones: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BSP16T1G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

Onsemi Transistor, BSP16T1G, PNP -100 MA -300 V TO-223, 3 + Tab Pines, 30 MHz, Simple

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Specifications of Onsemi Transistor, BSP16T1G, PNP -100 MA -300 V TO-223, 3 + Tab Pines, 30 MHz, Simple

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Onsemi Transistor, BSP16T1G, PNP -100 MA -300 V TO-223, 3 + Tab Pines, 30 MHz, Simple
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Baumer Interruptor de posición de precisión MY COM L75P80, Cilíndrico, Carcasa Latón chapado en níquel, Frecuencia de Conmutación: 10 Hz, Tipo de Terminal: Conexión de cable, Corriente de Conmutación: 50 mA, Tensión de Alimentación: 5 36 Vdc, Índice de Protección IP: IP67, Display LED del Estado: Sí, Longitud: 34mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +75°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20°C
    • Nuvotem Talema Transformador toroidal, Tensión 2 x 40V ac, Potencia 500VA, 2 salidas, Tensión nominal primaria: 115 V ac, 230 V ac, Corriente secundaria: 6.25A, Altura: 60mm, Peso: 3.5kg, Diámetro: 136mm, Dimensiones: 136 (Dia.) x 60mm, Frecuencia de funcionamiento mínima: 50Hz, Frecuencia de funcionamiento máxima: 60Hz, Tipo de terminación: Cables, Temperatura máxima: +40°C, MPN: 92435-P2S2
    • onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 214 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config.

    • onsemi MOSFET FDP8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDP8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.onsemi MOSFET FDP8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines,, config.

    • onsemi MOSFET FDP8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDP8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDP8D5N10C, VDSS 100 V, ID 76 A, TO-220 de 3 pines,, config.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.