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Celduc Sensor Inductivo, 100 V, IP67

About The Celduc Sensor inductivo, 100 V, IP67, Tecnología de sensores: Proximidad, Tipo de Cuerpo: Cilíndrico, Tipo de Terminal: 2 cables, Serie: PTA, MPN: PTA10490

Celduc Sensor inductivo, 100 V, IP67, Tecnología de sensores: Proximidad, Tipo de Cuerpo: Cilíndrico, Tipo de Terminal: 2 cables, Serie: PTA, MPN: PTA10490

Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica > Automatización y Control de Procesos > Sensores Industriales > Sensores de Proximidad

Celduc Sensor Inductivo, 100 V, IP67

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Specifications of Celduc Sensor Inductivo, 100 V, IP67

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Celduc Sensor Inductivo, 100 V, IP67
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Hammond Caja de consola, serie 500, de Aluminio, Acero de color Gris, con frontal inclinado, 180 x 180 x 58mm, Longitud Externa: 180 mm, Altura Externa: 58 mm, Frontal Inclinado: Sí, MPN: 500-0930
    • Baumer Interruptor de posición de precisión MY COM L75P80, Cilíndrico, Carcasa Latón chapado en níquel, Frecuencia de Conmutación: 10 Hz, Tipo de Terminal: Conexión de cable, Corriente de Conmutación: 50 mA, Tensión de Alimentación: 5 36 Vdc, Índice de Protección IP: IP67, Display LED del Estado: Sí, Longitud: 34mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +75°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20°C
    • Nuvotem Talema Transformador toroidal, Tensión 2 x 40V ac, Potencia 500VA, 2 salidas, Tensión nominal primaria: 115 V ac, 230 V ac, Corriente secundaria: 6.25A, Altura: 60mm, Peso: 3.5kg, Diámetro: 136mm, Dimensiones: 136 (Dia.) x 60mm, Frecuencia de funcionamiento mínima: 50Hz, Frecuencia de funcionamiento máxima: 60Hz, Tipo de terminación: Cables, Temperatura máxima: +40°C, MPN: 92435-P2S2
    • onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 214 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.

    • onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 214 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.onsemi MOSFET FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, TO-220 de 3 pines,, config.