Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPG20N10S4L35ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,035 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 16V, Serie: OptiMOS
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Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPG20N10S4L35ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines, 2elementos
Specifications of Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPG20N10S4L35ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines, 2elementos | |
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