Infineon MOSFET SPB80P06PGATMA1, VDSS -60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 23 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 340 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.31mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Infineon MOSFET SPB80P06PGATMA1, VDSS -60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET SPB80P06PGATMA1, VDSS -60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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