Infineon MOSFET IPP057N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.95mm
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Infineon MOSFET IPP057N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET IPP057N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |