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Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

About The 39mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 205 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 66 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2

Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 205 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 66 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.39mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

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Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
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Carlo Gavazzi Sensor de proximidad, alcance 10 mm, salida NPN, 10 → 30 V dc, IP67, Tecnología de sensores: Capacitivo, Tipo de Cuerpo: Rectangular, Tipo de Terminal: Cable, Serie: CD50CNF, MPN: CD50CNF10NC
    • Siemens Interruptor de señalización 3WA9111-0AH06 SENTRON, MPN: 3WA91110AH06

    Siemens Interruptor de señalización 3WA9111-0AH06 SENTRON, MPN: 3WA91110AH06

    Siemens Interruptor de señalización 3WA9111-0AH06 SENTRON.

    • Infineon MOSFET IRFR1205TRPBF, VDSS 55 V, ID 44 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFR1205TRPBF, VDSS 55 V, ID 44 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    39mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 27 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.Infineon MOSFET IRFR1205TRPBF, VDSS 55 V, ID 44 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

    • Jay Electronique Unidad de soporte de cargador para usar con Transmisor OREL multifunción, Tipo de Accesorio: Unidad de cargador (enchufe para vehículo de 12 V), Serie: Orion, MPN: ORCL1
    • Carlo Gavazzi Sensor inductivo, M18, alcance 5 mm, salida NO, 20 → 250 V CA, IP67, Tipo de Cuerpo: Cilíndrico, Tipo de Terminal: Cable, Serie: EI18, MPN: EI1805TBOPL
    • Infineon MOSFET IRFR5305TRPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFR5305TRPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.Infineon MOSFET IRFR5305TRPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

    • Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 205 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 66 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.39mm.

    • Infineon MOSFET IPG20N04S4L11AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0116 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Material del transistor: Silicio
    • Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.39mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 205 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 66 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.

    • Infineon MOSFET IPG20N04S4L11AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0116 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Material del transistor: Silicio