Infineon Diodo, BAV170E6327HTSA1, Nivel de fugas bajo, 200mA, 85V Conexión de silicio, 1.5μs, SOT-23, 3-Pines 1.25V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Cátodo común, Tiempo de Recuperación Inverso de Pico: 1.5µs, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 4.5A, MPN: BAV 170
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Infineon Diodo, BAV170E6327HTSA1, Nivel De Fugas Bajo, 200mA, 85V Conexión De Silicio, 1.5μs, SOT-23, 3-Pines 1.25V
Specifications of Infineon Diodo, BAV170E6327HTSA1, Nivel De Fugas Bajo, 200mA, 85V Conexión De Silicio, 1.5μs, SOT-23, 3-Pines 1.25V | |
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