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Onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config

onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple

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Omron Unidad de E/S CJ1, para usar con Serie CJ tipo dc, Tipo de Accesorio: Módulos de E/S, Gama: CJ1W-ID231, Dimensiones: 90 x 31 x 85 mm, MPN: CJ1WID211SL
    • Phoenix Contact Borne enchufable para PCB serie IPC 5/ 7-GU-7.62 de 7 vías, paso 7.62mm, para soldar, Tipo de borne enchufable para PCB: Conector invertido, Número de Filas: 1, Orientación del Cuerpo: Ángulo de 90°, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Soldador, Valor Nominal de Corriente: 41.0A, Tensión Nominal: 1,0 kV, Material del Contacto: Estaño, MPN: 1708653
    • STMicroelectronics Supervisor de tensión STM809RWX6F, SOT-23 3 pines, Número de Supervisores: 1, Driver de Salida: Activo bajo, Push-Pull, Tiempo Activo de Reset Máximo: 280ms, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.02mm, Tensión Máxima Controlada: 2.7V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Tensión Mínima Controlada: 2.63V, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1 V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C
    • Key Instruments Caudalímetro FR2000 para Gas, 0.1 L/min → 1 L/min, 6.89bar, Ø tubería 1/8 in, Tipo de Dispositivo: Variable Area, Tipo de Conexión: 1/8 NPT Female, Material: Acrylic, Temperatura Media Máxima: +65°C, MPN: 25102A13BVBN
    • ebm-papst Ventilador Axial W2G107 de 119 x 119 x 38mm, 24 V dc, 3.3W, caudal 40.78m³/h, 42dB(A), Altura: 119mm, Tipo de terminación: Cable de conexión, Tipo de Cojinete: Rodamiento de bolas, MPN: W2G107-AD03-47
    • ebm-papst Ventilador Axial W2E142 de 172 x 150 x 38mm, 230 V ac, Altura: 150mm, Anchura: 172mm, Dirección de la Curva: Backward, Tipo de Cojinete: Rodamiento de bolas, MPN: W2E142-CC15-16
    • Yageo Resistencia SMD, 12kΩ, ±1%, 0.0625W, Película Gruesa, 0402 (1005M), MPN: RC0402FR-0712KL

    Yageo Resistencia SMD, 12kΩ, ±1%, 0.0625W, Película Gruesa, 0402 (1005M), MPN: RC0402FR-0712KL

    0625W, Película Gruesa, 0402 (1005M).Yageo Resistencia SMD, 12kΩ, ±1%, 0.

    • onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config.

    • Yageo Resistencia SMD, 12kΩ, ±1%, 0.0625W, Película Gruesa, 0402 (1005M), MPN: RC0402FR-0712KL

    Yageo Resistencia SMD, 12kΩ, ±1%, 0.0625W, Película Gruesa, 0402 (1005M), MPN: RC0402FR-0712KL

    0625W, Película Gruesa, 0402 (1005M).Yageo Resistencia SMD, 12kΩ, ±1%, 0.

    • onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.