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NXP Transistor, BFU725F/N1, NPN 40 MA 2,8 V SOT-343F, 4 Pines, 12 GHz, Simple

About The NXP Transistor, NPN 40 mA 2,8 V SOT-343F, 4 pines, 12 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 136 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 10 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 1 V, Dimensiones: 2.2 x 1

NXP Transistor, NPN 40 mA 2,8 V SOT-343F, 4 pines, 12 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 136 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 10 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 1 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFU725F/N1

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NXP Transistor, BFU725F/N1, NPN 40 MA 2,8 V SOT-343F, 4 Pines, 12 GHz, Simple

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Specifications of NXP Transistor, BFU725F/N1, NPN 40 MA 2,8 V SOT-343F, 4 Pines, 12 GHz, Simple

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RS PRO Resistencias bobinadas ajustables, 25Ω 10% 30W, Pestaña, Bobinado, Soporte, Esmalte, Rango de Resistencia: 0 → 25Ω, Coeficiente de Temperatura: 50ppm/°C, Construcción: Bobinado de hilo, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +400°C
    • Festo Cilindro compacto neumático, Doble Acción, Recorrido: 40mm, Calibre: 63mm, Serie del fabricante: ADN-S, Número de Modelo (p): 5132670, MPN: ADN-S-63-40-I-P-A
    • Delta Plus Zapatos de seguridad Unisex de color Negro, talla 35, S1P SRC, Talla de zapato, UK: 2, Tipo de puntera de seguridad: Acero inoxidable, Puntera de seguridad: Sí, Tipo de cierre: Ninguno, MPN: MIAMISPNO35
    • LEM Transformador de corriente HAIS, entrada 600A, ratio: 600:1, Tamaño del diámetro interno: 15 x 8mm, Tecnología de sensores: Lazo Abierto, Tensión de Alimentación: 5 V, Altura Total: 29.5mm, Anchura Total: 33mm, Profundidad Total: 14mm, Temperatura Mínima: -40°C, Temperatura Máxima: +85°C, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, MPN: HAIS 400-P
    • Keysight Technologies DSOX6B40T604BW para usar con Osciloscopio de la serie 6000 X, Tipo de Accesorio: Software de actualización de ancho de banda
    • RS PRO Motor paso a paso, 8,6 V, Ø de eje 6.35mm, Tipo de Motor Paso a Paso: Híbrido, Ángulo de Inclinación: 1.8°, Tamaño del Bastidor: 56.4 x 56.4mm, Corriente Nominal: 1 A, Colocación del Bobinado: Unipolar, Longitud del Eje: 19mm, Profundidad: 76mm, Resistencia por Fase: 8.6Ω
    • NXP Transistor, NPN 40 mA 2,8 V SOT-343F, 4 pines, 12 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 136 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 10 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 1 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFU725F/N1
    • onsemi MOSFET NVMFD5C672NLT1G, VDSS 60 V, ID 49 A, DFN de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101
    • NXP Transistor, NPN 40 mA 2,8 V SOT-343F, 4 pines, 12 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 136 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 10 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 1 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFU725F/N1
    • onsemi MOSFET NVMFD5C672NLT1G, VDSS 60 V, ID 49 A, DFN de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101