Infineon MOSFET IPG20N04S412AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,01219 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio
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Infineon MOSFET IPG20N04S412AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 X 6 Doble De 8 Pines, 2elementos
Specifications of Infineon MOSFET IPG20N04S412AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 X 6 Doble De 8 Pines, 2elementos | |
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