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DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 MA, SOT-223 De 8 Pines, 4elementos

About The DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 MA, SOT-223 De 8 Pines, 4elementos

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Specifications of DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 MA, SOT-223 De 8 Pines, 4elementos

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Rating :- 9.57 /10
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Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de potencia Wurth, 56 μH 6045, 1.5A Idc, Longitud: 6mm, Profundidad: 4.5mm, MPN: 74404064560
    • Lindstrom Alicates de corte lateral, capacidad de corte 1.25mm, long. total 112,5 mm, ESD

    Lindstrom Alicates de corte lateral, capacidad de corte 1.25mm, long. total 112,5 mm, ESD

    total 112,5 mm, ESD, Corte de materiales: Alambre de cobre, Protección ESD: Sí, Tipo de Corte: Microbiselado, MPN: 8156.

    • Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de potencia Wurth, 680 μH 8065, 1A Idc, Longitud: 8mm, Profundidad: 6.5mm, MPN: 74404086681
    • Lindstrom Alicates de corte oblicuos, capacidad de corte 0.8mm, long. total 143 mm, ESD

    Lindstrom Alicates de corte oblicuos, capacidad de corte 0.8mm, long. total 143 mm, ESD

    total 143 mm, ESD, Corte de materiales: Alambre de cobre, Protección ESD: Sí, Tipo de Corte: Enrasado, MPN: RX 8248.Lindstrom Alicates de corte oblicuos, capacidad de corte 0.8mm, long.

    • DiodesZetex Diodo TVS Bidireccional, SOD-323, 2-Pines, Tensión Residual Máxima: 50V, Tensión Mínima de Ruptura: 40V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SD36CQ-7
    • Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT
    • DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V
    • onsemi IC Controlador de LED, IN: 6.3 → 40 V, OUT máx.:, Operación de Atenuación: PWM, Corriente nominal: 1.5mA, Disipación de potencia: 1.11W, Tensión nominal: 40V, MPN: NCL30160DR2G
    • DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V
    • onsemi IC Controlador de LED, IN: 6.3 → 40 V, OUT máx.:, Operación de Atenuación: PWM, Corriente nominal: 1.5mA, Disipación de potencia: 1.11W, Tensión nominal: 40V, MPN: NCL30160DR2G