Taiwan Semiconductor Diodo, MBR3060PT C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines

Name: Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo De Montaje: Montaje En Orificio Pasante, Configuración De Diodo: Cátodo Común, Número De Elementos Por Chip: 2, Transitorios De Corriente Directa No Repetitiva De Pico: 250A, MPN: MBR3060PT
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: ABDW-39874
Price: 9.27 EUR
Availability: InStock

About The Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT

Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos Schottky y Rectificadores

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V

DiodesZetex Diodo TVS Bidireccional, SOD-323, 2-Pines, Tensión Residual Máxima: 50V, Tensión Mínima de Ruptura: 40V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SD36CQ-7

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Specifications of Taiwan Semiconductor Diodo, MBR3060PT C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines
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Last Updated January 28th, 2025 02:40 pm

Taiwan Semiconductor Diodo, MBR3060PT C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines

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KEMET Condensador cerámico multicapa MLCC,, 680nF, ±10%, 50V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico, Paquete/Carcasa: 1206 (3216M), Dimensiones: 3.2 x 1.6 x 1mm, Longitud: 3.2mm, Profundidad: 1.6mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: C1206C684K5RACTU

KEMET Condensador cerámico multicapa MLCC,, 680nF, ±10%, 50V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico.

Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de potencia Wurth, 56 μH 6045, 1.5A Idc, Longitud: 6mm, Profundidad: 4.5mm, MPN: 74404064560

5A Idc.

Lindstrom Alicates de corte lateral, capacidad de corte 1.25mm, long. total 112,5 mm, ESD

total 112,5 mm, ESD, Corte de materiales: Alambre de cobre, Protección ESD: Sí, Tipo de Corte: Microbiselado, MPN: 8156.

Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de potencia Wurth, 680 μH 8065, 1A Idc, Longitud: 8mm, Profundidad: 6.5mm, MPN: 74404086681

Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de potencia Wurth, 680 μH 8065, 1A Idc.

Lindstrom Alicates de corte oblicuos, capacidad de corte 0.8mm, long. total 143 mm, ESD

total 143 mm, ESD, Corte de materiales: Alambre de cobre, Protección ESD: Sí, Tipo de Corte: Enrasado, MPN: RX 8248.8mm, long.Lindstrom Alicates de corte oblicuos, capacidad de corte 0.

DiodesZetex Diodo TVS Bidireccional, SOD-323, 2-Pines, Tensión Residual Máxima: 50V, Tensión Mínima de Ruptura: 40V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SD36CQ-7

DiodesZetex Diodo TVS Bidireccional, SD36CQ-7, SOD-323, 2-Pines.

Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT

Taiwan Semiconductor Diodo, MBR3060PT C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines.

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos.

Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT

Taiwan Semiconductor Diodo, MBR3060PT C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines.

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos.

Taiwan Semiconductor Diodo, MBR3060PT C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines

About The Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT

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Specifications of Taiwan Semiconductor Diodo, MBR3060PT C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines

Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de potencia Wurth, 56 μH 6045, 1.5A Idc, Longitud: 6mm, Profundidad: 4.5mm, MPN: 74404064560

Lindstrom Alicates de corte lateral, capacidad de corte 1.25mm, long. total 112,5 mm, ESD

Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de potencia Wurth, 680 μH 8065, 1A Idc, Longitud: 8mm, Profundidad: 6.5mm, MPN: 74404086681

Lindstrom Alicates de corte oblicuos, capacidad de corte 0.8mm, long. total 143 mm, ESD

DiodesZetex Diodo TVS Bidireccional, SOD-323, 2-Pines, Tensión Residual Máxima: 50V, Tensión Mínima de Ruptura: 40V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SD36CQ-7

Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V

Taiwan Semiconductor Diodo C0, 30A, 60V Schottky, TO-3P, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Número de Elementos por Chip: 2, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 250A, MPN: MBR3060PT

DiodesZetex MOSFET ZXMHC10A07T8TA, VDSS 100 V, ID 1,1 A, 800 mA, SOT-223 de 8 pines, 4elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,9 O, 1,45 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4 V, 4 V