Vishay MOSFET SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 104 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Vishay MOSFET SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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