Onsemi MOSFET FDC6305N, VDSS 20 V, ID 2,7 A, SOT-23 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado
About The Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 128 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.onsemi MOSFET FDC6305N, VDSS 20 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config
onsemi MOSFET FDC6305N, VDSS 20 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 128 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 960 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FDC6305N, VDSS 20 V, ID 2,7 A, SOT-23 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado
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Specifications of Onsemi MOSFET FDC6305N, VDSS 20 V, ID 2,7 A, SOT-23 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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