TE Connectivity Tira De Barrera, 2 Contactos, Paso 9.53mm, 1 Filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V

Name: TE Connectivity Tira De Barrera, 2 Contactos, Paso 9.53mm, 1 Filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V, Orientación Del Cuerpo: Vertical, Material Del Contacto: Aleación De Cobre, Revestimiento Del Contacto: Estaño, Tamaño Del Tornillo: M3, Tamaño Del Cable: 22 → 12 AWG, Material: Termoplástico, MPN: 3-1437651-4 | TE Connectivity
Brand: TE Connectivity
SKU: ABDW-41677
Price: 2.61 EUR
Availability: InStock

About The 53mm, 1 filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V, Orientación del Cuerpo: Vertical, Material del Contacto: Aleación de Cobre, Revestimiento del Contacto: Estaño, Tamaño del Tornillo: M3, Tamaño del Cable: 22 → 12 AWG, Material: Termoplástico, MPN: 3-1437651-4.TE Connectivity Tira de barrera, 2 contactos, paso 9

TE Connectivity Tira de barrera, 2 contactos, paso 9.53mm, 1 filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V, Orientación del Cuerpo: Vertical, Material del Contacto: Aleación de Cobre, Revestimiento del Contacto: Estaño, Tamaño del Tornillo: M3, Tamaño del Cable: 22 → 12 AWG, Material: Termoplástico, MPN: 3-1437651-4

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Hammond Patas de goma de Caucho, para usar con Carcasas de display portátiles de la serie 1592, Longitud: 10mm, Anchura: 5mm, MPN: 1592ETRF

Infineon Transceptor CAN, 2Mbps, PG-TSON-8, 8 pines, Número de Transceptores: 1, Interfaz: Circuito integrado de la interfaz, Corriente de Alimentación Máxima: 4 mA, MPN: IFX1051LEXUMA1

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Specifications of TE Connectivity Tira De Barrera, 2 Contactos, Paso 9.53mm, 1 Filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V
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Last Updated January 5th, 2025 08:27 pm

TE Connectivity Tira De Barrera, 2 Contactos, Paso 9.53mm, 1 Filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V

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TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento RPII de 2 polos, DPDT, bobina 6V dc, 8A, Montaje en PCB, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Montaje en orificio pasante, Tensión de Conmutación Máxima (AC): 400V ac, Longitud: 29mm, Resistencia de la Bobina: 68Ω, Potencia de la Bobina: 500mW, Material de los Contactos: Aleación de Plata, Profundidad: 12.6mm, Altura: 25.5mm, Aislamiento de Bobina a Contacto: 4kVrms, MPN: RP821006

TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento RPII de 2 polos, DPDT, bobina 6V dc, 8A, Montaje en PCB.

TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento RP3SL de 1 polo, SPST, bobina 12V dc, 16A, Montaje en PCB, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Montaje en orificio pasante, Longitud: 29mm, Resistencia de la Bobina: 270Ω, Material de los Contactos: Aleación de Plata, Profundidad: 12.6mm, Altura: 25.5mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, MPN: RP3SL012

TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento RP3SL de 1 polo, SPST, bobina 12V dc, 16A, Montaje en PCB.

Infineon MOSFET IAUC70N08S5N074ATMA1, VDSS 80 V, ID 70 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0074 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Material del transistor: Silicio

Infineon MOSFET IAUC70N08S5N074ATMA1, VDSS 80 V, ID 70 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines.

Infineon MOSFET IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0012 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Material del transistor: Silicio

Infineon MOSFET IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines.

Infineon MOSFET IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0012 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Material del transistor: Silicio

Infineon MOSFET IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines.

TE Connectivity Tira De Barrera, 2 Contactos, Paso 9.53mm, 1 Filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V

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Specifications of TE Connectivity Tira De Barrera, 2 Contactos, Paso 9.53mm, 1 Filas, 25 A, 5 A, 300 V, 600 V

Infineon MOSFET IAUC70N08S5N074ATMA1, VDSS 80 V, ID 70 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0074 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Material del transistor: Silicio

Infineon MOSFET IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0012 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Material del transistor: Silicio

Infineon MOSFET IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0012 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Material del transistor: Silicio