Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 2.3mm, Longitud: 6.6mm Toshiba MOSFET TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
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Toshiba MOSFET TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Toshiba MOSFET TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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