onsemi MOSFET NTMFD5C680NLT1G, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 19 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Altura: 1.05mm
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Onsemi MOSFET NTMFD5C680NLT1G, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN De 8 Pines, 2elementos
Specifications of Onsemi MOSFET NTMFD5C680NLT1G, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN De 8 Pines, 2elementos | |
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