Infineon Transistor MOSFET IPB47N10SL26ATMA1, VDSS 100 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 175 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Infineon Transistor MOSFET IPB47N10SL26ATMA1, VDSS 100 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
Specifications of Infineon Transistor MOSFET IPB47N10SL26ATMA1, VDSS 100 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines | |
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