Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 8.64mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Infineon MOSFET SPP11N60C3HKSA1, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 de 3 pines, config.
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Infineon MOSFET SPP11N60C3HKSA1, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 De 3 Pines, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET SPP11N60C3HKSA1, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 De 3 Pines, Config. Simple | |
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