Infineon Módulo IGBT, FS100R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo 6 Paquete De Seis
About The Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo 6 Paquete de seis, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FS100R12W2T7B11BOMA1
Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo 6 Paquete de seis, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FS100R12W2T7B11BOMA1
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT
Infineon Módulo IGBT, FS100R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo 6 Paquete De Seis
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Specifications of Infineon Módulo IGBT, FS100R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Módulo 6 Paquete De Seis | |
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