Onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10.2 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple
About The 2 A, SOIC de 8 pines,, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.5mm onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10.2 A, SOIC de 8 pines,, config.
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Onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10.2 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10.2 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple | |
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